El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
Recently, the model based on the quantum point contacts (QPC) achieved important results for describing the conduction mechanism of HfO2-based resistive random access memories (RRAM). This work makes a study of two important aspects related to the physics of these memories: a possible dependence of...
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Autor Principal: | Moreno Lanas, Jorge Esteban |
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Otros Autores: | Trojman, Lionel (dir) |
Formato: | Tesis de Pregrado |
Publicado: |
Quito, 2013
2014
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Materias: | |
Acceso en línea: | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/2797 |
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