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El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico

Recently, the model based on the quantum point contacts (QPC) achieved important results for describing the conduction mechanism of HfO2-based resistive random access memories (RRAM). This work makes a study of two important aspects related to the physics of these memories: a possible dependence of...

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Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Moreno Lanas, Jorge Esteban
Otros Autores: Trojman, Lionel (dir)
Formato: Tesis de Pregrado
Publicado: Quito, 2013 2014
Materias:
Tecnología
Ingeniería mecánica
Acceso en línea:http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/2797
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id oai-23000-2797
recordtype dspace
spelling oai-23000-27972017-04-24T16:08:51Z El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico Moreno Lanas, Jorge Esteban Trojman, Lionel (dir) Tecnología Ingeniería mecánica Recently, the model based on the quantum point contacts (QPC) achieved important results for describing the conduction mechanism of HfO2-based resistive random access memories (RRAM). This work makes a study of two important aspects related to the physics of these memories: a possible dependence of the RRAM conduction mechanism with respect to the scaling area and the influence of the compliance transistor. According to experimental results it was found that the conduction mechanism of the RRAM memories is essentially independent of their scaling area and that the compliance transistor influence can be cancelled by applying the correct polarization. In addition, it was found that the forming voltage is inversely proportional to the cell area. Recientemente, el modelo basado en los contactos de punto cuántico (QPC) obtuvo resultados importantes al describir el mecanismo de conducción de memorias resistivas (RRAM) con dieléctricos de óxido de hafnio (HfO2). Este trabajo utiliza el modelo QPC para investigar dos aspectos importantes sobre la física de estas memorias: la dependencia del mecanismo de conducción con respecto a sus dimensiones y los efectos de su transistor de control. De acuerdo con resultados experimentales se encontró que el mecanismo de conducción de las RRAM es independiente de sus dimensiones y que la influencia del transistor de control puede ser cancelada utilizando una polarización correcta. Además se halló que el voltaje de formación varía inversamente con las dimensiones de las memorias. 2014-04-14T17:38:46Z 2014-04-14T17:38:46Z 2013 bachelorThesis Tesis (Ingeniero Eléctrico/Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingeniería; Quito, Ecuador, 2013 http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/2797 esp openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/ 56 h. application/pdf Quito, 2013
institution USFQ
collection Repositorio USFQ
universidades USFQ
language
format Tesis de Pregrado
topic Tecnología
Ingeniería mecánica
spellingShingle Tecnología
Ingeniería mecánica
Moreno Lanas, Jorge Esteban
El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
description Recently, the model based on the quantum point contacts (QPC) achieved important results for describing the conduction mechanism of HfO2-based resistive random access memories (RRAM). This work makes a study of two important aspects related to the physics of these memories: a possible dependence of the RRAM conduction mechanism with respect to the scaling area and the influence of the compliance transistor. According to experimental results it was found that the conduction mechanism of the RRAM memories is essentially independent of their scaling area and that the compliance transistor influence can be cancelled by applying the correct polarization. In addition, it was found that the forming voltage is inversely proportional to the cell area.
author2 Trojman, Lionel (dir)
author_facet Trojman, Lionel (dir)
Moreno Lanas, Jorge Esteban
author Moreno Lanas, Jorge Esteban
author_sort Moreno Lanas, Jorge Esteban
title El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
title_short El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
title_full El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
title_fullStr El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
title_full_unstemmed El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
title_sort el futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
publisher Quito, 2013
publishDate 2014
url http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/2797
_version_ 1635477641368698880
score 11,871979

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